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巨头重注高带宽内存 龙头股暴涨超五成
文章分析了高带宽内存（HBM）在AI浪潮下的市场热潮。受益于英伟达、AWS、谷歌和AMD等巨头的强劲需求，HBM市场快速增长，SK海力士、三星、美光等巨头纷纷加大资本开支押注。A股HBM概念板块近十个月大涨超126%，龙头个股涨幅惊人。报告预测HBM市场未来几年将保持高速增长，成为DRAM市场乃至半导体行业的重要增长驱动力。
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SK海力士加速扩产：新工厂提前3个月投产应对芯片需求激增
SK海力士为应对存储芯片需求激增，计划将韩国龙仁新工厂投产时间提前三个月至2027年2月，并即将启动清州M15X工厂生产HBM芯片。全球存储芯片短缺正推高消费电子产品价格并影响AI数据中心建设，公司正通过扩大投资和产能以满足客户长期供应需求。
SK海力士拟投130亿美元建封装厂 应对AI存储芯片需求激增
SK海力士宣布投资约129亿美元在韩国建设先进芯片封装厂，以应对AI驱动的存储芯片需求激增。新工厂预计2026年底完工，将重点生产用于AI大模型训练的高带宽存储芯片（HBM）。文章分析了HBM的市场增长前景、技术优势以及SK海力士在行业中的领先地位，同时指出存储芯片价格因AI需求持续上涨，三星等竞争对手也从中受益。
AI算力推动存储市场量价双涨
AI算力爆发推动存储芯片市场量价齐升，DDR5服务器内存价格突破5万元。AI服务器内存需求是传统服务器的8-10倍，HBM等高端产品供不应求，预计供需紧张将持续至2028年。国产存储产业链迎来历史性机遇，相关企业加速布局，2026年我国存储芯片市场规模有望接近5000亿元。
三星Q4营业利润飙升208% AI服务器成最大驱动力
三星电子2025年第四季度营业利润同比暴增208%，创历史新高，主要得益于AI服务器建设热潮带来的存储芯片需求激增。HBM和DDR5内存供不应求，价格持续上涨，推动存储行业进入‘量价齐升’的超级周期。文章分析了AI数据中心如何成为三星业绩的最大引擎，并展望了未来存储芯片市场的持续增长潜力。
内存芯片价格飙升 三星电子季度利润或创新高
三星电子联席首席执行官指出内存芯片短缺局面“前所未有”，价格飙升将影响智能手机成本。得益于DRAM和NAND闪存价格的历史性上涨，以及人工智能高带宽内存（HBM）需求复苏，三星季度营业利润有望创新高，预计达19万亿韩元以上。公司在HBM4产品测试中表现优异，市场份额稳步提升，股价随之大涨。
存储芯片“超级周期”持续演绎：三星、SK海力士料将涨价30% 客户开启囤货模式
AI繁荣推动存储芯片进入'超级周期'，三星和SK海力士计划第四季度将DRAM和NAND价格上调高达30%。市场预期2025年存储芯片供应持续紧张，客户开启囤货模式并与供应商签订长期协议。HBM需求激增是主要驱动因素，国内外厂商加速布局先进封测领域，行业看好本轮存储大周期将持续至2025年。
