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2028年内存短缺或终结 三星SK海力士投资趋保守
文章探讨了全球存储行业在人工智能需求爆发下的供需平衡问题，指出三星和SK海力士等主要存储生产商正采取谨慎扩张策略。预计内存短缺将在2028年结束，但DRAM和HBM需求旺盛仍推动价格上涨。行业专家分析供需不平衡将持续推高内存价格，供应商需警惕需求疲软风险。
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全球内存短缺持续 DRAM价格大幅飙升
全球DRAM及NAND闪存价格因供需失衡大幅上涨，部分产品涨幅超130%。市场预测供应短缺将持续至2027年下半年，主要厂商扩产仍难满足需求。HBM内存市场转向利润率竞争，价格下跌可能性低。
存储芯片涨价助推佰维存储业绩，前两月净利润暴增超九倍
佰维存储发布2026年前两月业绩预告，预计营收40亿至45亿元、净利润15亿至18亿元，同比大幅增长并扭亏为盈。公司称受DRAM/NAND价格上涨、AI算力与国产替代驱动的景气周期影响显著，并加码芯片设计与先进封测，AI眼镜等端侧需求带来增量。
内存涨价或推高手机售价 记者实地调查
记者走访小米、华为、荣耀等门店发现，内存与存储芯片多季度涨价已推升PC等产品价格，手机端虽暂未普遍接到涨价通知，但新机型存在上调可能，消费者提前购买与观望促销的博弈加剧。IDC预测成本压力将抬升均价并压制2026年手机与PC出货量，市场格局或被重塑。
存储芯片持续上涨 DRAM或短期见顶 NAND供需失衡持续
本文分析了2024年2月存储芯片市场的价格动态，指出DRAM和NAND价格持续上涨但前景分化。DRAM价格创历史新高后可能短期见顶并趋于稳定，而NAND因AI及汽车应用需求旺盛，供需失衡将持续，价格有望在下半年保持上涨趋势。
存储芯片价格骤涨75%引发市场关注
文章报道了AI热潮引发的存储芯片短缺危机，特别是某一类型DRAM价格在短期内暴涨75%，导致从消费电子到汽车等多个行业面临生产限制和成本上升。科技巨头如苹果、特斯拉等已发出警告，内存供应紧张正威胁企业利润和长期规划。
全球存储芯片Q1环比暴涨90%
Counterpoint最新报告显示，2026年第一季度全球内存价格环比飙升80%-90%，创历史新高，主要受服务器DRAM和NAND芯片价格上涨推动。分析师指出，这可能导致设备制造商面临成本上升和需求放缓的双重压力，同时内存芯片盈利能力达到前所未有的水平。
长鑫抢占AI机遇跻身全球DRAM第一梯队
本文探讨了物理AI崛起如何重塑全球存储芯片产业格局，重点分析了长鑫科技如何通过高性能DDR5和LPDDR5X产品组合精准卡位，应对AI时代的数据爆炸与“存储墙”挑战。文章指出，存储芯片正从成本中心转变为性能中心，长鑫的全栈式解决方案标志着中国存储企业首次在技术代际上与国际同步，并有望冲击全球DRAM第一梯队。
AI助力长鑫科技抢占千亿市场，产品性能达国际先进水平，2022年至2025年9月累计营收736.36亿元
长鑫科技作为中国DRAM领域的领军企业，其科创板IPO获受理标志着国产存储芯片行业迎来重要里程碑。文章详细介绍了公司从DDR4到DDR5的产品覆盖、与阿里云等核心客户的合作，以及2022年至2025年9月累计736.36亿元的营收表现。同时突出了公司高达188.67亿元的研发投入和5589项专利的技术实力，展现了其在AI驱动下的市场竞争力与增长潜力。
AI芯片短缺推高智能手机价格，2026年或涨近7%
Counterpoint研究报告指出，由于AI芯片短缺导致DRAM价格飙升，预计到2026年智能手机平均售价将上涨近7%，涨幅远超此前预测。同时，智能手机销量可能下降，原始设备制造商面临提价和减产压力，但苹果、三星等大厂短期受影响较小。
机构：DDR4引领内存市场涨势 DDR5与DDR3年底微调无碍长期上行
根据TrendForce最新报告，年底DRAM市场呈现分化走势：DDR4内存尤其是16Gb产品涨势依旧强劲，而DDR5和DDR3在前期大涨后出现小幅回调。同时，NAND Flash现货市场在供应端支撑下持续刷新历史高点，但涨幅有所放缓。
