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我国科研团队攻克芯片散热世界难题 氮化镓功率器件有望站上风口
西安电子科技大学郝跃院士团队在芯片散热技术上取得重大突破，通过创新氮化铝薄膜技术，将氮化镓功率器件的输出功率密度提升30%-40%，创下近二十年该领域最高纪录。这一进展有望显著提升5G/6G通信、卫星互联网等产业的器件性能，同时推动数据中心向800V直流供电转型，带动氮化镓和碳化硅功率半导体市场需求增长。
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