TAG:第三代半导体
我国科研团队攻克芯片散热世界难题 氮化镓功率器件有望站上风口
西安电子科技大学郝跃院士团队在芯片散热技术上取得重大突破，通过创新氮化铝薄膜技术，将氮化镓功率器件的输出功率密度提升30%-40%，创下近二十年该领域最高纪录。这一进展有望显著提升5G/6G通信、卫星互联网等产业的器件性能，同时推动数据中心向800V直流供电转型，带动氮化镓和碳化硅功率半导体市场需求增长。
0 
0 
2025胡润中国AI 50强发布 寒武纪以6300亿估值领跑
2026-01-19
29 浏览
多只FOF单周涨超5%！AI应用热度飙升，公募FOF为何按兵不动？
2026-01-19
0 浏览
全球半导体营收或破万亿美元 AI需求成关键驱动力
2026-01-19
0 浏览
苹果四季度在华销量夺冠 内存价格成年度关键
2026-01-19
0 浏览
我国科研团队攻克芯片散热世界难题 氮化镓功率器件有望站上风口
2026-01-19
0 浏览
深度机智陈凯：以人类视角重塑具身智能大脑
2026-01-19
0 浏览
北京率先开展机器人专业职称评审
2026-01-19
0 浏览
Claude Code引工程师上瘾：高效编程暗藏安全风险
2026-01-19
61 浏览
京造AI玩具覆盖全龄段 从陪老人听戏到解职场焦虑
2026-01-19
0 浏览
日本大厂CCL涨价30% PCB材料供应趋紧 AI推动高端需求放量
2026-01-19
0 浏览
