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中国团队取得重要突破 相关成果将为芯片技术自主可控提供关键材料
本文介绍国防科技大学与中科院金属所联合团队在二维半导体领域的重要突破，针对现有二维半导体P型材料短板，研发新型制备方法，实现晶圆级单层氮化钨硅可控生长，该材料性能优异，有望为后摩尔时代我国芯片技术自主可控提供关键支撑，相关成果已发表于国际顶级期刊。
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